114年高考申論題 — 半導體工程

共 11 題 · 含 AI 詳解

第一題 一、(一)能帶理論中，那一個參數可作為區分導體、半導體與絕緣體的依據？（5 分） (二)該參數以何數值作為區分半導體與絕緣體的界限？（5 分） (三)請以能帶結… 3 小題 › 第二題 二、(一)在半導體晶格中，載子具有那二種主要的傳輸機制？（4 分） (二)一個實際的矽 p-n 接面二極體在順偏導通狀態下，有那些電流成分？（8 分） (三)請… 3 小題 › 第三題 三、在 T = 300 K 下，一個 n 型矽半導體中，施體濃度為 Nd = 10^17 cm^-3，本質載子濃度為 ni = 1.5 * 10^10 cm^-… 2 小題 › 第四題 四、(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分） (二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明… 2 小題 › 第五題 五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長 λ = 248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種不同的曝光… ›