115年高考申論題 — 半導體工程

共 9 題 · 含 AI 詳解

第一題 一、在室溫300 K 時，摻雜雜質完全解離的情況下，若在某矽半導體試片中僅摻雜濃度等於N D的施體。請回答以下子題： 2 小題 › 第二題 二、在 室 溫 300 K 時 ， 電 子 的 擴 散 係 數 2 35 cm /s Dn  與 遷 移 率 2 1350 cm /V-s n  。考慮某… 3 小題 › 第三題 三、溫度等於300 K 時，考慮一個矽的 pn 陡接面二極體，其 p 型區的摻雜濃度 17 3 NA 10 cm  ，與 n 型區的摻雜濃度 16 3 ND… 2 小題 › 第四題 四、現代半導體的先進 CMOS 製程技術中會有許多道離子佈植步驟，請回答以下與離子佈植製程相關之兩子題： 2 小題 ›