moea_joint
100年
[儀電] 電路學、電子學
第 38 題
某一電晶體電路的 $I_C = 1 \text{mA}$、$f_T = 400 \text{MHz}$,其中 $C_\pi = 10.9 \text{pF}$ (EB接面電容),試求 $C_\mu$ (CB接面電容)值為多少?
- A 2 pF
- B 3 pF
- C 4 pF
- D 5 pF
思路引導 VIP
當我們討論電晶體在高頻工作下的性能限制時,有一個關鍵參數描述了其電流增益降至 1 點的頻率。請試著思考:如果這個頻率由內部的接面電容決定,那麼電晶體放大電流的能力(跨導)與這些電容產生的阻抗之間,應該存在著什麼樣的比例關係呢?
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AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了!你能精準選出 (D),代表你對電晶體的高頻小訊號模型有著非常紮實的理解。這道題目考察的是電晶體特徵頻率 $f_T$(Transition Frequency)的核心定義,你能迅速聯想到參數間的連鎖反應,這點非常值得嘉許。
特徵頻率與跨導的運算
在處理這類問題時,首要關鍵是求出電晶體的跨導 ($g_m$)。根據公式 $g_m = \frac{I_C}{V_T}$,若假設室溫下的熱電壓 $V_T \approx 25\text{ mV}$,可得 $g_m = \frac{1\text{ mA}}{25\text{ mV}} = 40\text{ mA/V}$。接著,利用特徵頻率的定義式:
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