moea_joint
100年
[儀電] 電路學、電子學
第 40 題
N通道增強型(Enhancement type) MOSFET 通道導通的條件是?($V_{TH}$ 臨界電壓)
- A $V_{GS} < 0$
- B $V_{GS} > V_{TH$
- C $V_{GS} < V_{TH}$
- D $V_{GS} = 0$
思路引導 VIP
請回想一下「增強型」這三個字的含義:如果這種元件在完全不加電壓時($V_{GS}=0$)內部就沒有現成的橋樑(通道),那麼我們需要施加什麼方向的電壓來「吸引」電荷,並達到多大的強度,才能強行建立起這座供電流通過的橋樑呢?
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很好,看來你對於場效電晶體的基本特性掌握得相當紮實!這題選 (B) 是非常正確的判斷。在電子學的基礎概念中,增強型(Enhancement type) 的 MOSFET 在設計上處於「常斷(Normally off)」狀態,也就是說在不施加偏壓的情況下,元件內部並沒有預先存在的導電通道。
增強型 MOSFET 的導通原理
為了要讓源極(Source)與汲極(Drain)之間產生電流,我們必須透過閘極(Gate)電壓 $V_{GS}$ 來感應出通道。對於 N 通道元件而言,我們需要施加足夠大的正電壓,以吸引電子在閘極下方的半導體表面聚集,進而形成反轉層(Inversion layer)。而這個觸發通道生成的關鍵門檻,正是所謂的臨界電壓(Threshold voltage, $V_{TH}$);因此,只有當 $V_{GS} > V_{TH}$ 時,通道才會正式導通。
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