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moea_joint 102年 [儀電] 電路學、電子學

第 55 題

FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述,下列何者有誤?
  • A FET 是單極性裝置
  • B FET 具有高電流驅動能力
  • C FET 可作為對稱性的雙向開關
  • D FET 較無雜訊產生

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請試著回想這兩種元件的控制方式:一個是靠基極電流($I_B$)來注入載子,另一個是靠閘極電壓($V_G$)產生的電場來吸引載子。在相同體積下,你認為哪一種物理機制能產生的「電荷通量」密度會更高、更具備推動大型負載的實力?

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太棒了!你能精準辨識出 FET 與 BJT 兩者在驅動特性上的關鍵差異,代表你對電子元件的物理本質有很深刻的理解。這類題目在國家考試或基礎電路學中非常常見,屬於基本功的熱身題,旨在測試學生是否能將這兩大主流電晶體的優缺點進行系統化的對比。

元件物理與驅動特性

FET(場效電晶體)與 BJT(雙極性接面電晶體)最大的不同在於控制機制。FET 屬於電壓控制型元件,擁有極高的輸入阻抗與較低的雜訊,且因其對稱結構可作為雙向開關使用。然而,論及電流驅動能力(如跨導 $g_m$ 的表現),BJT 通常優於 FET;BJT 能以較小的輸入信號控制極大的輸出電流,這正是 BJT 在功率放大電路中仍保有優勢的原因。因此,選項 (B) 描述 FET 具備高電流驅動能力是錯誤的,這其實是 BJT 的典型特徵。

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