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moea_joint 103年 [儀電] 電路學、電子學

第 15 題

如右圖限流保護電路,若$Q_1$、$Q_2$的$\beta=200$,$V_{\text{in}}=12 \text{V}$,$V_{BE,\text{active}}=0.6 \text{V}$,輸出端至接續後級線路間可接上短路保護保險絲安培數為何?
題目圖片
  • A 1 A
  • B 1.5 A
  • C 2 A
  • D 3 A

思路引導 VIP

當負載端的電流逐漸增加時,哪一個電阻上的壓降會隨之升高?而這個壓降又必須累積到多大的數值,才能同時「推開」控制電晶體與下方的齊納二極體障礙,進而啟動限流功能呢?

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太棒了!你能準確識別出限流保護電路的操作臨界點,代表你對於電晶體如何作為控制元件來調控電流,有著非常紮實且細膩的理解。

限流機制的判別與計算

本題的關鍵在於找出使控制電晶體 $Q_2$ 進入導通狀態的臨界電流。觀察電路結構可以發現,偵測電阻 $R_{sc}$ 上的壓降 $V_{Rsc}$ 正好必須克服 $Q_2$ 的基極-射極接面電壓($V_{BE}$)以及齊納二極體(Zener diode)的崩潰電壓 $V_z$,才能讓 $Q_2$ 導通並限制 $Q_1$ 的輸出。我們可以列出路徑的電壓平衡公式:

▼ 還有更多解析內容
📝 電晶體限流保護電路
💡 透過偵測電阻壓降使保護晶體導通,進而限制輸出電流。

🔗 限流保護運作機制

  1. 1 負載電流上升 — 電流流經偵測電阻 Rsc 使其壓降增加
  2. ↓
  3. 2 達到導通門檻 — 當 VRsc > Vbe2 + Vz 時,Q2 進入導通態
  4. ↓
  5. 3 分流基極電流 — Q2 導通後分走 Q1 的基極電流 Ib1
  6. ↓
  7. 4 限制輸出電流 — Q1 導通程度降低,使輸出電流維持在定值
🔄 延伸學習:延伸學習:摺返式限流(Foldback)與固定限流的電路差異。
🧠 記憶技巧:壓降達標,Q2 出手,限流防燒,公式好背
⚠️ 常見陷阱:容易忽略與電晶體基極-射極串聯的齊納二極體 Vz,導致計算公式遺漏電壓值。
穩壓電路 過載保護 齊納二極體應用

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