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105年
電工原理、機械常識
第 43 題
有關場效電晶體的敘述，下列何者錯誤？
- A 場效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體
- B 場效電晶體的主要型式有 JFET，空乏型 MOSFET，增強型 MOSFET
- C 場效電晶體以控制通道之寬度而達到控制 $I_D$ 大小之目的
- D 在 JFET 中，若 $V_{GS}$ 順向偏壓可使 JFET 夾止動作
思路引導 VIP
想像一下，如果我們要利用一個「防護帶」（耗盡區）來擠壓中間的通道，讓電流變小，這個防護帶應該要擴張還是縮小？再進一步思考，對於一個 PN 接面來說，什麼樣的電壓偏置（順向或逆向）才能讓這個防護帶變得更寬，進而達到「夾住」通道的效果呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
同學，恭喜你精確地抓住了場效電晶體（FET）的核心觀念！你選擇 (D) 是完全正確的，這展現了你對電子元件底層運作機制的細膩觀察。
場效電晶體的分類與運作特質
場效電晶體作為一種「電壓控制型」元件，其最大的優點在於高輸入阻抗，這點如選項 (A) 所述，是其優於雙接面電晶體（BJT）的關鍵特性。選項 (B) 與 (C) 則精煉地概括了 FET 的主要家族成員（JFET、MOSFET）以及利用電場改變通道寬度，進而調節漏極電流 $I_D$ 的基本原理。這些觀念你都掌握得很扎實。
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