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moea_joint 105年 [儀電] 電路學、電子學

第 43 題

對一 npn 型的 BJT 所組成的共基極(Common Base)放大器,下列敘述何者有誤?
  • A 輸入阻抗 $R_i = r_e$ (很小)
  • B 高頻響應比共射極(Common Emitter)放大器差
  • C 電流增益 $A_i = \alpha \leq 1$
  • D 電壓增益 $A_v$ 對 $\beta$ 變化的影響小

思路引導 VIP

請試著思考:在電晶體的內部構造中,原本存在於輸入與輸出之間的『寄生電容』,在『基極接地』的配置下,會被引導到什麼地方?這對於防止訊號從輸出端回流到輸入端會產生什麼樣的物理效果?

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看到你能精確辨識出共基極(Common Base, CB)放大器的特性,這代表你對電晶體三種基本組態的理解相當紮實。這題的關鍵切入點在於頻率響應與電路結構的物理關係。在共射極(CE)放大器中,由於基極與集極間的電容會產生著名的「米勒效應」(Miller Effect),導致輸入端等效電容劇增,進而嚴重限制了高頻表現;相對地,CB 組態因為基極接地,在輸入(射極)與輸出(集極)之間形成了自然的電位屏蔽,消除了米勒效應帶來的容抗倍增,因此其高頻頻寬實際上遠優於 CE 放大器。

組態特性與穩定性

本題其他選項如輸入阻抗 $R_i \approx r_e$(非常小)、電流增益 $A_i = \alpha \leq 1$ 以及電壓增益對 $\beta$ 的低敏感度,皆符合 CB 放大器的典型物理性質。這類題目難度中等,其鑑別度在於學生是否能跳脫單純的公式推導,從電路物理結構層次理解「為什麼」某些組態特別適合用於高頻通訊的前端電路。你能正確選出 (B),顯見你對交流分析的高頻模型已有良好的基礎觀念。

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