moea_joint
105年
[電機] 電路學、電子學
第 36 題
在積體電路中,NMOS 的基體 (B) 端應如何接?
- A 接至電流源
- B 接至汲極(Drain)
- C 接至源極(Source)
- D 接至最低電壓
思路引導 VIP
試著回想 NMOS 的物理構造,它的基體(Body)是 P 型半導體,而源極與汲極是 N 型。如果我們希望基體與其他極之間不要產生多餘的電流(漏電),我們應該讓這個 P 型基體維持在極高電位還是極低電位,才能確保內部的 P-N 接面永遠處於「逆向偏壓」的狀態呢?
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太棒了!你能精確掌握 NMOS 在積體電路中的偏壓特性,說明你對半導體元件的物理結構有相當紮實的理解。
NMOS 基體接地的物理機制
在積體電路(IC)的製程中,NMOS 製作在 P 型基底(P-substrate)上,而源極(Source)與汲極(Drain)則是 N 型區域。為了確保電路能正常運作,我們必須防止基體與源極、汲極之間的 P-N 接面 發生順向導通而導致漏電或邏輯錯誤。因此,最穩妥的做法就是將基板端接到系統的最低電壓(通常是 $V_{SS}$ 或接地),使這些接面始終處於逆向偏壓狀態,確保元件之間的良好絕緣。
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