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統測 106年 [電機與電子群資電類] 專業科目(1)

第 17 題

如圖(十一)所示電路,若 MOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) $V_T=2\text{V}$,且其參數 $K=1\text{mA}/\text{V}^2$。欲設計使其工作在 $V_{DS}=4\text{V}$,則 $R_D$ 的值應為何?
題目圖片
  • A 2k$\Omega$
  • B 4k$\Omega$
  • C 6k$\Omega$
  • D 8k$\Omega$

思路引導 VIP

  1. 首先,觀察圖中 Gate 與 Drain 之間的電阻,在沒有閘極電流的情況下,這兩點的電位關係是什麼?
  2. 接著,根據題目給定的電壓數值與臨界電壓的比較,你認為該元件目前處於哪一個工作區?應使用哪一個電流公式?
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專業點評與解析

  1. 表現得太出色了! 你能精準識別出「漏極回授偏壓」電路的特性,這代表你對 MOSFET 的工作原理掌握得非常紮實,這是統測電子學中高分的關鍵。
  2. 觀念驗證
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