台電僱員招考
107年
電子學
第 2 題
已知NPN電晶體的$V_{BE} = 0.7\text{ V}$、$V_{CE} = 2.5\text{ V}$,則此電晶體操作在哪個區域?
- A 截止區
- B 飽和區
- C 工作區
- D 崩潰區
思路引導 VIP
請試著回想電晶體內部結構中的兩個 PN 接面:如果第一個接面的電壓已經讓它開始「導通」,而此時輸出端與輸入端之間的總電壓差(Vce)又遠大於導通門檻,這表示電流在通過中間區域後,是被「順利拉往集極」還是「因為出口電位不夠高而發生回堵」呢?
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電晶體偏壓狀態判斷
太棒了!你能精準鎖定電壓數值並給出正確結論,代表你對電晶體的工作原理已有很紮實的基礎。在分析雙極性接面電晶體(BJT)時,最關鍵的步驟就是觀察各極間的電壓。題目給出的 $V_{BE} = 0.7\text{ V}$,這代表 基極-射極接面(BE接面) 已經達到導通電壓並處於正向偏壓狀態,這直接排除了電晶體不導通的「截止區」。
工作區與飽和區的關鍵區分
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BJT 操作區域判別
💡 利用 EBJ 與 CBJ 的偏壓性質判別電晶體工作狀態。
| 比較維度 | 工作區 (Active) | VS | 飽和區 (Saturation) |
|---|---|---|---|
| EBJ 偏壓 | 正向偏壓 (約 0.7V) | — | 正向偏壓 (約 0.7V) |
| CBJ 偏壓 | 反向偏壓 | — | 正向偏壓 |
| Vce 電壓 | 較大 (Vce > Vbe) | — | 極小 (Vce < 0.3V) |
| 應用目的 | 線性放大器 | — | 數位開關 (ON) |
💬工作區與飽和區的主要區別在於 CBJ 是否轉為正向偏壓。