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普考申論題 108年 [電力工程] 電子學概要

第 一 題

📖 題組:
圖二電晶體β = 100,導通時 VBE = 0.7 V,飽和區 VCE = 0.2 V,主動區VCE > 0.2 V 且 IE ≈ IC,小訊號輸出電阻 ro → ∞。vS = 1.2 + Vxsinωt V,vO = VDC + VAC sinωt V,ω= 200π rad/sec。
題組圖片
📝 此題為申論題,共 2 小題

小題 (一)

在小訊號操作時,求算直流電壓 VDC、集極直流電流 IC及小訊號電壓增益 Av = VAC/Vx。(15 分)

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看到這類混合訊號題目,首先應利用『疊加定理』將電路拆分為直流與交流分析。在直流分析時,抓緊題目給定的『IE ≈ IC』近似條件,這會大幅簡化 KVL 的計算並得出漂亮的整數;交流分析時,先求出小訊號參數,再畫出 Hybrid-π 或 T-model 等效電路模型來推導增益,特別注意共射極放大器會帶有負號(反相)。

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【解題關鍵】利用疊加定理分離直、交流分析,並善用題意給定的「$I_E \approx I_C$」近似條件簡化 KVL 計算,交流分析搭配 Hybrid-$\pi$ 模型推導小訊號增益。 【解答】 一、 直流分析(DC Analysis)

小題 (二)

求算 Vx之最大值以確認電晶體不會進入飽和區。(5 分)

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觀察題目假設「IE ≈ IC」且給定恆定導通電壓「VBE = 0.7V」,提示我們可直接使用大訊號恆定電壓模型建立瞬時方程式。透過聯立輸入與輸出迴路的 KVL,並代入臨界飽和條件(vCE = 0.2V),即可解出對應的最大允許輸入電壓峰值 Vx。

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【解題關鍵】利用恆定電壓模型建立輸入與輸出的瞬時方程式,並代入臨界飽和條件 $v_{CE} \ge 0.2\text{ V}$ 求解最大允許電壓擺幅。 【解答】 計算:

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