高考申論題
108年
[衛生檢驗] 毒物學
第 二 題
二、砷化鎵是半導體重要的材料，而砷化物也具有重金屬的毒性，試述其可能的污染來源、中毒症狀及可能的致病機轉。（25 分）
📝 此題為申論題
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看到半導體材料砷化鎵，應立即聯想其在環境及體內會解離出「無機砷」與「鎵」離子。解題需分層次論述：從電子產業的職業暴露與環境排放切入污染來源，結合三價砷結合巰基與五價砷取代磷酸根的經典毒理機轉，最後推導出急慢性中毒症狀與法定檢驗方法（如ICP-MS）。
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【重點】考查半導體新興污染物質「砷化鎵」之環境暴露途徑、無機砷之生化毒理機轉及其對人體造成之急慢性臨床症狀。 【解析】 砷化鎵（Gallium Arsenide, GaAs）為 III-V 族化合物，廣泛應用於發光二極體（LED）、微波通訊及太陽能電池。其本身溶解度低，但進入環境或人體後，會解離釋放出具高毒性的無機砷（As）與鎵（Ga）離子。其毒理特性與臨床影響詳述如下：
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砷化鎵毒理與污染來源
💡 砷化鎵釋放砷離子，藉由阻斷細胞能量代謝與氧化壓力造成傷害。
🔗 砷化鎵毒理致病因果鏈
- 1 暴露與攝入 — 經由職業粉塵吸入或環境地下水食入
- 2 水解與解離 — 於體內解離出三價與五價無機砷離子
- 3 生化干擾 — 結合巰基酵素或發生砷解作用阻斷ATP生成
- 4 臨床病變 — 引發色素沉著、角化症、血管阻塞或癌症
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🔄 延伸學習：延伸學習：了解 IARC 將無機砷列為第一級致癌物之依據。
