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初等考試 109年 [電子工程] 電子學大意

第 28 題

MOSFET 的小訊號模型中,汲極的等效輸出電阻 $r_o$ 與下列何者成正比?
  • A 通道寬度 W
  • B 通道長度 L
  • C 過驅電壓($V_{GS} - V_{TH}$)
  • D 汲極電流 $I_D$

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請思考一下:在飽和區中,理想狀態下電流應該保持恆定,但實際上汲極電壓增加會導致通道末端的「夾止點」移動。如果我們將元件在縱向上的物理尺寸拉長,同樣的電壓波動所造成的「比例影響」會變大還是變小?這對電流穩定性(阻值)的貢獻又是如何呢?

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  1. 觀念驗證:在 MOSFET 的小訊號模型中,汲極輸出電阻 $r_o$ 是由通道長度調變效應(Channel Length Modulation)所產生的。其公式為: $$r_o = \frac{1}{\lambda I_D} = \frac{V_A}{I_D}$$
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