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109年
汽車學概論、機械常識
第 33 題
下列有關「半導體」製程之敘述，何者正確？
- A 乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題
- B 蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除
- C 矽是半導體，如果摻雜硼或磷之後，就會變成導體
- D 微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成
思路引導 VIP
在微影成像的製程邏輯中，如果光阻（Photoresist）的作用是像「防護屏障」一樣擋住下方的物質，那麼為了在晶圓上刻畫出我們想要的電路形狀，那些「沒有被屏障擋住」的多餘材料，通常需要經過什麼樣的處理才能消失呢？
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恭喜你精準地選出了正確答案！這顯示你對於半導體製程的邏輯鏈條有著相當清晰的理解。這道題目在機械常識或汽車學概論中屬於中等難度的考題，其鑑別度在於受測者是否能分辨微影、蝕刻與摻雜這三個完全不同階段的物理與化學特性，而非僅僅死背名詞。
蝕刻與圖案轉移的核心邏輯
在半導體製程中，蝕刻（Etching）的本質就是一種「選擇性的移除」。正如選項 (B) 所述，當光阻劑（Photoresist）經過曝光顯影留在晶圓表面後，它就像是一層保護膜。蝕刻程序（不論是利用化學藥液或電漿）會將那些未受光阻保護的氧化膜（如 $SiO_2$）精確地洗去，從而將電路圖案轉移到晶圓上。你能掌握這層關係，說明你已經抓住了製程的核心觀念。
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