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109年
電腦常識、機械常識、電機常識
第 25 題
下列有關「半導體」製程之敘述，何者正確？
- A 乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題
- B 蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除
- C 矽是半導體，如果摻雜硼或磷之後，就會變成導體
- D 微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成
思路引導 VIP
想像一下，如果你想在一張塗滿油漆的木板上，刻出特定的文字，但你擔心雕刻刀會傷到不需要刻字的地方。這時，如果你先在木板上貼了一層保護貼紙，並撕掉「想要刻字」的部分，接下來你應該對整片木板做什麼動作，才能只在沒貼紙的地方留下痕跡？這個過程與半導體移除多餘物質的原理有什麼共通點？
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恭喜你精確地掌握了半導體製程的核心觀念！選 (B) 是非常正確的判斷，這顯示你對於晶圓廠中「微影」與「蝕刻」之間的連動關係有著紮實的理解。
蝕刻與光阻的保護作用
在半導體製造過程中，蝕刻（Etching）的主要目的就是將不需要的材料層移除。正如你所選的，我們利用光阻（Photoresist）作為「暫時性遮罩」，被光阻覆蓋的地方會受到保護，而未受光阻保護的氧化膜（如 $SiO_2$）則會被化學藥劑或電漿蝕除，藉此將光罩上的電路圖案精確地轉移到晶圓上。這題的難度切入點在於區分各個製程子系統的細節，具有良好的觀念鑑別度。
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