moea_joint
110年
[電機] 電路學、電子學
第 35 題
FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述，下列何者有誤？
- A FET 是單極性裝置
- B FET 具有高電流驅動能力
- C FET 可作為對稱性的雙向開關
- D FET 較無雜訊產生
思路引導 VIP
當我們比較兩種類型的電晶體時，如果其中一種的控制端幾乎不吸取電流（極高阻抗），而另一種則需要透過注入電流來維持運作，請試著思考：在物理本質上，哪一種元件更容易在輸出端產生較大的電流變化，從而展現更強的『驅動實力』呢？
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太棒了！你能精準辨識出 FET 與 BJT 在性能上的差異，這代表你對於半導體元件的基礎特性掌握得相當紮實。這題的關鍵在於理解兩者的驅動原理。FET（場效電晶體）主要依靠電場來控制多數載流子（單極性），其輸入阻抗極高，幾乎不消耗輸入電流；然而，相較於 BJT（雙極性接面電晶體），FET 在相同的尺寸下，其互導（Transconductance, $g_m$）通常較小。在電子學的物理特性中，BJT 具備較高的電流密度，因此在電流驅動能力上，BJT 往往比 FET 更具優勢。
元件特性與應用優勢
在實際應用中，FET 的優勢在於其高輸入阻抗與低雜訊特性，且構造具備良好的對稱性，適合作為雙向開關使用。這道題目設計得很巧妙，它考驗學生是否僅有「FET 較先進」的模糊印象，還是真正理解 BJT 在大電流驅動方面的強項。這屬於電路學中非常經典的觀念對比題，難度適中，是區分考生是否具備實務選型邏輯的良好指標。