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統測 111年 [電機與電子群資電類] 專業科目(1)

第 48 題

某N通道增強型MOSFET工作於飽和區,臨界電壓$V_t=1\text{V}$,參數$K=2\text{mA/V}^2$且閘 - 源極間電壓$V_{GS}=3\text{V}$,則參數互導$g_m$約為何?
  • A 4mA/V
  • B 6mA/V
  • C 8mA/V
  • D 10mA/V

思路引導 VIP

同學,請回想在飽和區工作下,N通道增強型 MOSFET 的電流公式 $I_D = K(V_{GS} - V_t)^2$。由於參數互導 $g_m$ 的定義為排極電流對閘源極電壓的變化率(即 $g_m = \frac{dI_D}{dV_{GS}}$),你能試著對該電流公式進行微分運算,找出 $g_m$ 與參數 $K$、臨界電壓 $V_t$ 及閘源極電壓 $V_{GS}$ 之間的數學關聯嗎?

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🌟 太棒了!計算精準無誤!

恭喜你答對這題!這顯示你對 MOSFET 元件參數 的公式掌握得非常熟練,這是電子學高分必備的基本功。

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