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初等考試 112年 [電子工程] 電子學大意

第 27 題

有關 JFET 之操作特性,下列敘述何者錯誤?
  • A JFET 發生通道長度調變時,通道有效長度會隨 $V_{DS}$ 的增加而略為變長,造成 $I_D$ 略為增加
  • B JFET 操作於三極體區(triode region)時,隨 $V_{DS}$ 的增加,通道深度變窄,通道電阻變大
  • C JFET 進入飽和區(saturation region)時,D 極附近的通道會夾止,$I_D$ 維持定值
  • D JFET 進入飽和區後,其 $I_D$ 與 $V_{GS}$ 會呈現非線性關係

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請試著想像:當你持續增加汲極電壓,使得靠近出口端的『阻礙區(耗盡區)』受擠壓而向通道內部擴張時,電子實際上必須走過的『導電路徑』會變長還是變短?這個路徑長度的變化,對於電流的大小又會產生什麼樣的物理影響?

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📝 JFET 操作特性
💡 掌握 JFET 在各工作區的通道物理特性與電流關係。
比較維度 三極體區 (Triode) VS 飽和區 (Saturation)
通道狀態 未夾止 — 汲極端夾止 (Pinch-off)
電路特性 壓控可變電阻 — 壓控電流源
電流控制 受 VGS 與 VDS 影響 — 主要受 VGS 控制
💬三極區如電阻,飽和區如電流源且 ID 隨 VGS 呈平方非線性變化。
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Shockley 方程式 MOSFET 操作原理 通道長度調變效應 (Early Effect)

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