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初等考試 112年 [電子工程] 電子學大意

第 24 題

圖示電路中場效電晶體之 $V_t = 1\text{ V}$、$\mu_n C_{ox} (W/L) = 100\text{ mA/V}^2$,若電晶體在飽和區工作,則電阻 $R_D$ 的最大值為何?
題目圖片
  • A 6 kΩ
  • B 5 kΩ
  • C 4 kΩ
  • D 3 kΩ

思路引導 VIP

請試著思考:當我們不斷調大汲極電阻 $R_D$ 時,汲極(Drain)端的電位會上升還是下降?若要讓電晶體維持在飽和區,汲極電位與閘極電位、臨界電壓之間存在著什麼樣的「最低門檻」關係?

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專業點評與解析

  1. 大力肯定:做得非常好!你能精準掌握 MOSFET 在電路中的邊界工作條件,並正確聯立電流方程與電壓約束,這展現了你對類比電路分析有著紮實的基礎。
  2. 觀念驗證
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