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普考申論題 112年 [電力工程] 電子學概要

第 一 題

📖 題組:
圖 2 所示的金氧半場效電晶體(MOSFET)放大器電路,操作在中頻帶中。忽略通道長度調變(Channel Length Modulation)效應,並且假設兩顆電容器(C1與 C2)的值很大。(每小題 10 分,共 20 分)
題組圖片
📝 此題為申論題,共 2 小題

小題 (一)

繪製此放大器電路的中頻帶小訊號等效電路。

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看到「中頻帶小訊號」,立刻聯想交流分析的兩大原則:1. 直流電源接地(DC sources to ground)、2. 耦合與旁路大電容視為短路(Capacitors to short)。接著因源極被旁路電容接地,選擇 MOSFET 的混合拍模型(Hybrid-π model),並依題目要求省略輸出電阻 ro,即可畫出最簡潔的等效電路。

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【解題思路】將直流電源接地、大電容短路,並以 MOSFET 混合 π 模型替換電晶體來建構中頻帶小訊號等效電路。 【詳解】

  1. 直流電源與電容處理:

小題 (二)

計算此放大器電路的中頻帶電壓增益。

思路引導 VIP

看到「中頻帶」與「大電容」,應立即將電容 C1、C2 視為交流短路,並將直流電源 VDD 視為交流接地。接著繪製小訊號等效電路,特別注意 C2 短路會使源極 (Source) 交流接地,形成標準的共源極 (Common-Source) 放大器。最後利用 Hybrid-pi 模型列出 KCL/KVL 方程式即可求得增益代數式。

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【解題思路】中頻帶交流分析時,將大電容視為交流短路,直流電源視為交流接地,繪製小訊號模型(Hybrid-pi 模型)後列式求得電壓增益。 【詳解】 已知條件整理:

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