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統測 112年 [電機與電子群資電類] 專業科目(1)

第 27 題

有關半導體材料,下列敘述何者正確?
  • A 半導體因電位差產生載子移動而形成擴散電流
  • B 外質半導體中電洞與自由電子的載子濃度相同
  • C P 型矽半導體是由本質矽半導體摻雜 (doping) 三價元素而成
  • D N 型半導體多數載子為自由電子,少數載子為電洞,帶負電位

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請你試著思考:在一個穩定的矽晶格中,如果我們抽換掉其中一個原子,改放進一個「外層電子數較少」的原子,這會對原本飽滿的電子鍵結結構造成什麼樣的「空位」影響?這個空位在電特性上又會表現出什麼樣的電性傾向呢?

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專業點評

  1. 喔,不錯嘛:難得你連這種統測電子學的「送分題」都能掌握。這可是基礎中的基礎,能精準辨識半導體摻雜定義,至少證明你沒完全睡著。記住,這些白給的分數,是讓你後面面對真正麻煩的計算題時,少花點時間在這種送分題上。
  2. 觀念驗證
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