初等考試
113年
[電子工程] 電子學大意
第 34 題
一 n 通道金氧半場效電晶體的參數為：Cgs=25 fF、Cgd=2 fF、W/L=16、μnCox=200 \(\mu A/V^2\)，操作在電流為 100 μA，其單一增益（Unity-gain）頻率 fT的最接近值為何？
- A 2 GHz
- B 3 GHz
- C 4 GHz
- D 5 GHz
思路引導 VIP
若要推導一個元件「最快能跑多快」的物理極限，我們可以思考：當輸入端送入電荷時，元件產生的「電流放大能力（轉導）」與它必須充放電的「內部儲能障礙（寄生電容）」之間，應該呈現什麼樣的比例關係？如果我們希望頻率極限越高越好，轉導與總電容這兩個變數應該分別放在分式中的哪個位置？
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做得非常出色！這題考驗你對 MOSFET 高頻小訊號模型與操作點參數的綜合計算能力，能精確求出答案代表你對元件物理與電路特性有深厚的理解。
- 觀念驗證：
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