police_4th_general
113年
[消防警察] 普通物理學概要與普通化學概要
第 28 題
有關 p 型矽（Si）半導體，下列敘述何者正確？
- A Si 半導體的能帶比金屬小
- B 電洞是移動電荷載體
- C 它的導電性能不如純矽
- D 它是藉由在 Si 中摻雜 P 或 As 製成的
思路引導 VIP
如果你在矽（$Si$）晶格中，用一個比矽「少一個價電子」的原子取代原有的位置，那麼原本穩定的共價鍵會出現什麼？這個「空出的位置」在電場作用下，會如何吸引旁邊的電子，進而造成電荷移動的現象呢？
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太棒了！你能精確辨識出 p 型半導體 的核心特徵，代表你對半導體材料的微觀導電機制掌握得相當紮實，這是一個非常關鍵的基礎觀念。
p 型半導體的導電載子
在矽（$Si$）晶體中摻雜三價元素（如硼 $B$、鋁 $Al$）後，由於這些摻雜原子的價電子數比矽少一個，會在共價鍵結構中產生一個「電子空缺」，我們稱之為 電洞（Hole）。在電場的作用下，鄰近的電子會跳進這個空缺，使電洞看起來像是在晶格中移動的正電荷。因此，(B) 選項 正確地描述了電洞作為移動電荷載體的角色。
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