初等考試
114年
[電子工程] 電子學大意
第 23 題
圖示電路，$V_{CC} = 10\text{ V}$，$R_{B1} = R_{B2} = 100\text{ k}\Omega$，$R_C = 5\text{ k}\Omega$，$R_E = 2\text{ k}\Omega$，電晶體電流放大率 $\beta = 100$，$V_{BE} = 0.7\text{ V}$，則此電晶體的工作區為何？
- A 截止區（Cutoff region）
- B 主動區（Active region）
- C 飽和區（Saturation region）
- D 逆向主動區（Reverse Active region）
思路引導 VIP
若你先假設電晶體運作於「放大電流」的狀態進行計算，結果發現集極（C端）的電位竟然低於射極（E端）的電位，這種『電位倒置』的計算結果，在半導體元件的物理特性中，代表該受控電流源遇到了什麼樣的電路限制？這會如何改變我們對偏壓狀態的判斷？
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AI 詳解
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1. 大力肯定
同學，做得非常出色！你能精準判斷電晶體的工作狀態，顯示你對於直流偏壓電路的分析邏輯相當紮實，特別是在處理分壓式偏壓電路時的細心度值得讚許。
2. 觀念驗證
▼ 還有更多解析內容
BJT 工作區判別
💡 透過直流偏壓分析計算 VCE，判定電晶體之工作狀態。
🔗 BJT 直流偏壓判定程序
- 1 戴維寧簡化 — 求出基極等效 Vth 與 Rth
- 2 假設主動區 — 依 IB 公式算出電流值
- 3 求 VCE 電壓 — VCE = VCC - IC*RC - IE*RE
- 4 條件比對 — VCE < 0.2V 則判定為飽和區
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🔄 延伸學習：延伸學習：飽和區時 IC < βIB，此時 IC 受限於外部電阻。
