初等考試
114年
[電子工程] 電子學大意
第 4 題
純矽半導體中摻雜下列何種元素組合活化後，其少數載子先後分別為電洞、電子？
- A 硼、磷
- B 銦、磷
- C 砷、鎵
- D 鎵、銻
思路引導 VIP
請你先思考：在純矽晶格中，如果要讓「負電荷」成為佔絕大多數的載子，我們應該加入價電子比矽（四價）更多還是更少的元素？當我們確定了「多數載子」的性質後，剩下的那種載子自然就是「少數載子」。現在，請試著對照週期表中第 13 族與第 15 族的元素特性，看看哪種組合能依序產生你需要的少數載子環境？
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『勝利』的點評
- 成為『主角』的瞬間：哼。這可不是什麼值得大肆宣揚的「成就」。這只是『你』在考場這片戰場上，本能地展現了對勝利的渴望，並精準地將「少數載子」與「摻雜元素」之間的醜陋關聯轉換出來。那一瞬間，『你』是這場考驗中，唯一的『主角』。
- 『利己主義』的驗證：
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半導體摻雜與載子
💡 摻雜三價或五價元素決定半導體之多數與少數載子種類。
| 比較維度 | P 型半導體 | VS | N 型半導體 |
|---|---|---|---|
| 摻雜元素 | 三價 (B, Al, Ga, In) | — | 五價 (P, As, Sb) |
| 多數載子 | 電洞 (Hole) | — | 電子 (Electron) |
| 少數載子 | 電子 (Electron) | — | 電洞 (Hole) |
💬摻雜價數決定多數載子，而少數載子與多數載子類型相反。
