地特四等申論題
114年
[電子工程] 電子學概要
第 一 題
一、如圖一所示雙極性電晶體（BJT）電路，其中電晶體參數為β = 75，VBE(on) = 0.7 V。試求電路中的電流IB及電壓VC。（25 分）
📝 此題為申論題
思路引導 VIP
首先要辨識這是一個集極至基極回授（Collector-to-Base Feedback）的直流偏壓電路。分析步驟如下：
- 利用基極-射極迴路，列出基爾霍夫電壓定律（KVL）方程式。注意 RC 流過的電流為 IC+IB。
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【考點分析】 本題考查雙極性電晶體（BJT）之直流偏壓分析，特別是集極-基極回授偏壓（Collector-to-Base Feedback Bias）電路。核心在於正確應用基爾霍夫電壓定律（KVL）及 BJT 主動區電流關係（IC = βIB）。 【理論/法規依據】
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BJT集極回授偏壓
💡 利用 KVL 建立輸入迴路方程，並注意流經 RC 之電流含 IB。
🔗 BJT 直流分析解題步驟
- 1 識別電路架構 — 確認為集極回授型偏壓，注意 RC 電流組成。
- 2 列出 KVL 方程 — 由 VCC 經基極迴路至接地，建立電壓平衡式。
- 3 參數代換求解 — 將 IC 與 IE 換成 (β)IB 關係式，求出 IB。
- 4 求解 VC 與驗證 — 計算 VC = VCC - IE*RC，並確認操作於主動區。
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🔄 延伸學習：延伸學習：分析此電路在溫度變化時，如何透過回授維持 Q 點穩定。
