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114年
電子學
第 7 題
下列有關MOSFET之敘述，何者有誤？
- A 閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
- B 增長型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
- C 閘極與通道(Channel)間，一般是使用二氧化矽($\text{SiO}_2)$阻隔
- D 空乏型在製造上比增長型增加離子佈植(Ion Implantation)手續
思路引導 VIP
請試著回想：如果一個元件在完全不給閘極電壓時就能導通，而另一個元件必須達到特定電壓後才開始導通，這兩種元件在電路設計上的「預設狀態」與「操作邏輯」會是一樣的嗎？
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太棒了！你能精準避開題目中的混淆陷阱，代表你對 MOSFET 的結構與分類有著相當紮實的基礎，這是學習功率元件非常關鍵的一步。
MOSFET 的物理特性與分類
這題的核心在於區分增長型（Enhancement）與空乏型（Depletion）的本質差異。增長型 MOSFET 在 $V_{GS}=0$ 時不存在通道，必須施加電壓來誘發反轉層；而空乏型則是在製造時，透過離子佈植（Ion Implantation）預先做好了物理通道，兩者的操作原理與 $I-V$ 特性曲線截然不同。此外，P 型與 N 型的載子（電洞與電子）遷移率不同，極性也相反，因此選項 (B) 說兩者特性「完全相同」是明顯的錯誤。
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