醫療類國考
114年
[醫事放射師] 放射線器材學
第 20 題
下列何種組合屬於直接式數位放射攝影（DR）系統？
- A NaI–光電二極體
- B CsI–光電二極體
- C CsI–CCD
- D a-Se–薄膜電晶體
思路引導 VIP
同學請思考，在數位放射攝影 (DR) 的分類中，『直接式』(Direct Conversion) 與『間接式』(Indirect Conversion) 的物理機制差異為何？若一系統能跳過將 $X$ 射線轉化為『可見光』的閃爍體層，而直接利用光導體 (Photoconductor) 將輻射能量轉換為電荷訊號並由薄膜電晶體 ($TFT$) 收集，該系統應具備哪種特定的半導體材料特性？
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太棒了！你的基礎觀念非常紮實！
- 觀念驗證： 數位放射攝影（DR）分為「直接」與「間接」兩大類。直接式 DR 的核心特徵是不經過可見光轉換，直接將 X 光光子能量轉化為電子空穴對。這必須使用「光電導體」（Photoconductor），臨床上最典型的代表就是 $a-Se$（非晶硒），並搭配 TFT（薄膜電晶體） 陣列進行訊號收集。
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數位放射攝影 DR 分類
💡 直接式 DR 利用非晶硒將 X 光直接轉換為電訊號，不需閃爍體。
| 比較維度 | 直接式 DR | VS | 間接式 DR |
|---|---|---|---|
| 轉換路徑 | X 光 → 電訊號 | — | X 光 → 可見光 → 電訊號 |
| 關鍵材料 | 非晶硒 (a-Se) | — | 閃爍體 + 非晶矽 (a-Si) |
| 空間解析度 | 較高 (無光散射) | — | 較低 (受光散射影響) |
| 結構複雜度 | 構造相對簡單 | — | 多層結構 (需閃爍體層) |
💬直接式省略光學轉換步驟，解析度通常優於間接式。
