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醫療類國考 114年 [醫事放射師] 放射線器材學

第 20 題

下列何種組合屬於直接式數位放射攝影(DR)系統?
  • A NaI–光電二極體
  • B CsI–光電二極體
  • C CsI–CCD
  • D a-Se–薄膜電晶體

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同學請思考,在數位放射攝影 (DR) 的分類中,『直接式』(Direct Conversion) 與『間接式』(Indirect Conversion) 的物理機制差異為何?若一系統能跳過將 $X$ 射線轉化為『可見光』的閃爍體層,而直接利用光導體 (Photoconductor) 將輻射能量轉換為電荷訊號並由薄膜電晶體 ($TFT$) 收集,該系統應具備哪種特定的半導體材料特性?

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  1. 觀念驗證: 數位放射攝影(DR)分為「直接」與「間接」兩大類。直接式 DR 的核心特徵是不經過可見光轉換,直接將 X 光光子能量轉化為電子空穴對。這必須使用「光電導體」(Photoconductor),臨床上最典型的代表就是 $a-Se$(非晶硒),並搭配 TFT(薄膜電晶體) 陣列進行訊號收集。
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