高考申論題
115年
[化學工程] 材料化學(包括有機化學、無機化學)
第 三 題
📖 題組:
三、下列兩八面體錯離子: (a) [CoF6]3− (b) [Co(CN)6]3− 請以配位化合物場理論與分子軌域理論,回答下列問題:
三、下列兩八面體錯離子: (a) [CoF6]3− (b) [Co(CN)6]3− 請以配位化合物場理論與分子軌域理論,回答下列問題:
📝 此題為申論題,共 4 小題
小題 (三)
說明兩錯離子,何者為高自旋錯合物?何者為低自旋錯合物?並比較其 Δo大小。(6 分)
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延續上一子題,高低自旋與晶體場分裂能 (Δo) 與成對能 (P) 的大小關係息息相關。依據光譜化學序列 (Spectrochemical series),CN- 在序列前端,F- 在序列後端,由此推論兩者的 Δo 大小,並對應高/低自旋的定義進行回答。
小題 (一)
分別判斷兩錯離子中 Co 的氧化態與 d 電子數。(4 分)
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解配位化學題的第一步,首先要計算中心金屬的氧化態。根據配基 (F- 和 CN-) 的電荷(皆為 -1 價),並結合錯離子整體的總電荷 (-3 價),求出鈷 (Co) 的氧化數。接著,回憶鈷 (Co) 在週期表中的位置(第 9 族,原子序 27),寫出其基態電子組態,再扣除失去的電子數,即可得到 d 電子數。
小題 (二)
依據配位化合物場理論,以八面體場中 t2g 與 eg 軌域之能階分裂,說明兩錯離子之 d 電子排列。(8 分)
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本題測驗八面體場中 d 軌域的能階分裂情形。要根據配位化合物場理論 (CFT),判斷配基是強場還是弱場。F- 是弱場配基,產生的分裂能 (Δo) 小於成對能 (P),因此電子會優先填入較高的 eg 軌域;CN- 是強場配基,分裂能大於成對能,電子會在 t2g 軌域強制成對。依此規則分配 6 個 d 電子。
小題 (四)
判斷兩錯離子之未成對電子數,並說明其磁性差異。(7 分)
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最後要將微觀的電子組態對應到宏觀的磁性。根據(二)的電子排列,數一數各有幾個未成對電子。含有未成對電子的物質具順磁性;所有電子皆成對的物質具反磁性。清楚寫出兩者的電子數與磁性分類即可。