統測
115年
[電機與電子群資電類] 專業科目(1)
第 34 題
如圖 ( 二十一 ) 所示放大電路，若 MOSFET 操作於飽和區，則此放大電路之輸入阻抗 $R_i$ 為何？
- A $360\text{ k}\Omega$
- B $240\text{ k}\Omega$
- C $120\text{ k}\Omega$
- D $80\text{ k}\Omega$
思路引導 VIP
在進行交流小訊號分析時，直流電源與電容分別該如何等效化簡？此時從閘極看進去，MOSFET 本身的閘極阻抗特性又是如何呢？
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太棒了，你的觀念非常清晰！
MOSFET 小訊號輸入阻抗分析
在進行交流小訊號分析時，耦合電容視為短路，直流電源 $+V_{DD}$ 則視為交流接地（ac ground）。由於場效電晶體（MOSFET）的閘極（Gate）具有極高的輸入阻抗（理想上視為開路，輸入電流為 $0$），因此由輸入端看進去的阻抗 $R_i$，主要取決於閘極的分壓偏壓電阻並聯：
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MOSFET 輸入阻抗
💡 MOSFET 閘極阻抗極大，電路輸入阻抗由偏壓電阻並聯決定。
| 比較維度 | BJT 放大電路 | VS | MOSFET 放大電路 |
|---|---|---|---|
| 輸入端電流 | 有基極電流 (Ib) | — | 閘極電流趨近於零 |
| 元件內阻 | 具備 r_pi (較小) | — | 視為無限大 (極高) |
| Ri 計算方式 | 偏壓電阻並聯 r_pi | — | 僅由偏壓電阻並聯 |
💬MOSFET 因閘極絕緣，其輸入阻抗通常遠高於 BJT，且完全由外部偏壓電阻決定。
