109年地特三等申論題 — 半導體工程

共 6 題 · 含 AI 詳解

第一題 鑽石(diamond)結構與閃鋅(zincblende)結構都是由兩個面心立方次晶格(sub-lattice)所組成。(每小題10分,共20分) 2 小題 › 第二題 在一個PN接面光偵測器中,若光子在空乏區被吸收而產生電子電洞對,分別說明電子與電洞由產生位置到外部電極的傳導方式。若光子在P型中性區被吸收,也分別說明電子與電洞… › 第三題 就一個操作在主動區的npn 雙極性電晶體(bipolar junction transistor),說明其電流的傳導機制。何謂電晶體的注入效率(injectio… › 第四題 請說明磊晶成長(epitaxial growth)、異質磊晶成長(hetero-epitaxial growth)、以及晶格不匹配(lattice mismat… › 第五題 考慮 Si 的SiO2熱成長的機制可分為兩個步驟:氧分子擴散通過已成長的SiO2然後與下面的 Si 進行反應形成 SiO2。假設擴散的氧分子通量與SiO2厚度成… ›