地特三等申論題
109年
[電子工程] 半導體工程
第 四 題
請說明磊晶成長(epitaxial growth)、異質磊晶成長(hetero-epitaxial growth)、以及晶格不匹配(lattice mismatch)。如何利用異質磊晶成長對磊晶薄膜產生應變(strain)?(20分)
📝 此題為申論題
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看到此題，應先採階梯式定義，從基本的「磊晶」遞進到「異質磊晶」，再點出兩材料晶格常數不同所造成的「晶格不匹配」。接著，利用晶格常數的相對大小關係（基板 vs 磊晶層），精確說明如何產生張應變（Tensile strain）與壓應變（Compressive strain），並務必提及「臨界厚度」的概念以及在元件物理上（如提升載子遷移率）的應用價值以獲取高分。
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【破題】本題測驗半導體晶體生長技術之核心概念，以及如何透過能帶工程與晶格匹配機制，人為調控磊晶層之應變狀態，進而改變材料之載子傳輸特性。 【論述】 一、核心名詞解釋
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