111年地特三等申論題 — 半導體工程

共 8 題 · 含 AI 詳解

第一題 一、(一)何謂接觸電阻（contact resistance）？何謂片電阻（sheet resistance）？何謂特徵電阻（specific contact… 2 小題 › 第二題 二、對一長度為 L 且此長度兩端施加偏壓 V 的 n 型半導體，假設電子的擴散長度為 Ln，電子的擴散係數為 Dn，電子的遷移率（mobility）為 μn，電… › 第三題 三、(一)對一 npn 雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor, BJT），若基極濃度由射極-基極接面（emitter-bas… 2 小題 › 第四題 四、考慮一多晶矽閘極金氧半電容（polysilicon-gate MOS capacitor），在高摻雜的閘極，其 EF - EC = 0.2 eV；在一般摻雜… 3 小題 ›