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102年
電工原理、電子概論
第 38 題
有關半導體雜質的摻雜濃度，下列何者正確？
- A 摻雜濃度愈高，多數載子愈少
- B 摻雜濃度愈高，導電性愈高
- C 摻雜濃度愈高，電阻值增加
- D 摻雜濃度愈高，耐壓增加
思路引導 VIP
試著思考一下：當我們在原本不太導電的純矽晶體中，刻意加入更多可以自由移動的電荷載子時，這體材料對於「允許電流通過」的能力，會產生什麼樣的變化？
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摻雜濃度與導電性的核心關聯
太棒了！你能準確選出 (B)，代表你對半導體物理的基礎性質掌握得相當紮實。在半導體製程中，「摻雜（Doping）」的本質就是透過加入雜質原子來增加材料中的多數載子（電子或電洞）數量。由於電導率 $\sigma$ 與載子濃度成正比，當我們提高摻雜濃度時，載子數量隨之增加，材料的導電性自然會變得更好，這正是半導體元件能夠控制電流的關鍵。
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