二極體物理特性與接面電容效應分析

📝 歷屆考古題

• 114年 cpc_recruit 第26題
  對一處於絕對零度之本質半導體，在此本質半導體之兩端加一電壓；若此本質半導體並未發生崩潰，則在本質半導體內為？
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• 114年 cpc_recruit 第27題
  純半導體中最常使用的材料為矽(Si)和鍺(Ge)，兩者皆為幾價元素？
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• 113年 cpc_recruit 第26題
  下列材料，何者為半導體？
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• 113年 cpc_recruit 第29題
  稽納二極體應用於穩壓電路時，其外加工作電壓下列敍述何者正確？
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• 113年 cpc_recruit 第30題
  N型半導體的多數載子為自由電子，其內部總電荷特性下列敍述何者正確？
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• 113年 cpc_recruit 第32題
  某矽二極體，在 $25^\circ\text{C}$ 時之逆向飽和電流為 $3\text{nA}$，若溫度上升到 $45^\circ\text{C}$ 則逆向飽和電流變為多少？
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• 113年 cpc_recruit 第38題
  所謂 LSI (大型積體電路) 是指在一個晶片上至少有多少個邏輯閘？
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• 113年 cpc_recruit 第42題
  矽二極體的兩端施加直流電壓為 $0.9\text{V}$，並測得流過二極體的電流 $I_D$ 為 $10\text{mA}$，則此二極體的靜態電阻為多少歐姆？
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• 111年 cpc_recruit 第28題
  下列何種材料在溫度升高時，其電阻值會下降？
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• 111年 cpc_recruit 第29題
  在N型半導體內電洞的濃度將隨溫度的升高而如何變化？
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• 111年 cpc_recruit 第31題
  下列敘述何者正確？
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• 111年 cpc_recruit 第32題
  有一鍺質二極體在$28^\circ C$時，電流為1.3mA，若$V_T = 26mV$則其動態電阻$r_d$為多少？
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• 111年 cpc_recruit 第36題
  有關發光二極體(LED)的敘述，下列何者正確？
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• 111年 cpc_recruit 第38題
  有關二極體的特性，下列何者錯誤？
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• 111年 cpc_recruit 第39題
  有關稽納二極體的敘述，下列何者錯誤？
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• 111年 cpc_recruit 第50題
  二極體之過渡電容若逆向電壓增大，將如何變化？
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• 109年 cpc_recruit 第17題
  下列何種材料在溫度升高時，其電阻值會下降？
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• 109年 cpc_recruit 第26題
  在 N 型半導體中，導電的多數載子為何？
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• 109年 cpc_recruit 第27題
  請問稽納二極體的符號為何？
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• 109年 cpc_recruit 第33題
  箝位電路之主要作用為何？
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• 109年 cpc_recruit 第43題
  有一矽二極體，在 25°C 時的逆向飽和電流為 2nA，當溫度升高至 65°C 時其逆向飽和電流為多少？
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• 107年 cpc_recruit 第2題
  下列英文何者代表發光二極體？
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• 107年 cpc_recruit 第27題
  某矽二極體之PN接面於$25^\circ\text{C}$時，其逆向飽和電流為$5 nA$，當此PN接面溫度上升至$55^\circ\text{C}$時，則其逆向飽和電流為何？
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• 105年 cpc_recruit 第7題
  下列電路符號何者為熱敏電阻？
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• 105年 cpc_recruit 第22題
  有關半導體之敘述，下列何者錯誤？
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• 105年 cpc_recruit 第23題
  某矽二極體在溫度 $20^{\circ}C$ 時的逆向飽和電流為 $2nA$，若溫度上升至 $50^{\circ}C$ 時，則逆向飽和電流變為多少？
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• 105年 cpc_recruit 第26題
  可變電容二極體當逆向偏壓增加時，其電容量是如何變化？
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• 104年 cpc_recruit 第22題
  本質半導體摻入何種元素可將電特性轉變為 P 型半導體？
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• 104年 cpc_recruit 第23題
  二極體之逆向電壓增加時，其內部接面電容值會產生何種變化？
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• 104年 cpc_recruit 第24題
  二極體加上順向偏壓時，PN 接面會形成何種電容？
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• 104年 cpc_recruit 第25題
  在整塊 N 型半導體中，是呈現何種電性？
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• 102年 cpc_recruit 第22題
  N 型半導體的多數載子為自由電子，所以其電性應該為何？
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• 102年 cpc_recruit 第38題
  有關半導體雜質的摻雜濃度，下列何者正確？
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• 100年 cpc_recruit 第12題
  一負電阻溫度係數材料，當其溫度愈高時，電阻變化如何？
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• 100年 cpc_recruit 第21題
  將 P 型半導體及 N 型半導體結合時，即會產生一空乏層，則 P 型半導體部份之空乏層內應具有下列何者？
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• 100年 cpc_recruit 第33題
  下列四種邏輯閘中，可代替其他三種邏輯閘的是何者？
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• 100年 cpc_recruit 第58題
  在箝位電路中下列四種何者可以省略不用，而其它三種卻必需同時使用？
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