場效電晶體的工作原理與偏壓特性分析

📝 歷屆考古題

• 114年 cpc_recruit 第41題
  P通道之場效應電晶體FET的電荷載子為？
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• 114年 cpc_recruit 第42題
  增強型MOSFET之$V_{\text{DS}}=4\text{V}$，元件參數$K=0.5\text{mA}/\text{V}^2$，臨界電壓$V_T=2\text{V}$，$I_{\text{D}}=2\text{mA}$…
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• 113年 cpc_recruit 第50題
  有一n通道增強型MOSFET工作於飽和區，則下列 $V_{GS}$ 外加偏壓何者正確？
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• 109年 cpc_recruit 第30題
  N 通道增強型 MOSFET 欲使之導通，則閘極電壓(VGS)應加何種偏壓？
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• 107年 cpc_recruit 第35題
  如圖(十四)電路所示，$V_P = -4V$ ，$I_{DSS} = 4mA$ ，試求$V_{GS}$ 為何？
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• 105年 cpc_recruit 第54題
  P 通道接面場效電晶體(JFET)之電荷載子為何？
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• 105年 cpc_recruit 第55題
  有一 JFET 動作於夾止區，若夾止電壓 $Vp = -4V$，$I_{DSS} = 8mA$，求 $V_{GS} = -2V$ 時的 $I_D$值為多少？
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• 105年 cpc_recruit 第56題
  有關場效電晶體的敘述，下列何者錯誤？
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• 105年 cpc_recruit 第57題
  空乏型 N 通道 MOSFET 中，下列哪一項可使元件不導通？
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• 105年 cpc_recruit 第58題
  欲使增強式 N 通道 MOSFET 工作於飽和區，其偏壓條件為何？
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• 105年 cpc_recruit 第59題
  如【圖 59】所示電路，工作點設置於 $V_{GS} = -2V$，$V_{DS} = 2V$，$I_D = 2mA$，則 Rs 與 $R_D$分別為多少？
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• 105年 cpc_recruit 第60題
  如【圖 60】所示電路為 N 通道空乏型 MOSFET 的偏壓電路，設 $V_{DD}=+24V$，$R_D=2k\Omega$，$R_G=10M\Omega$，MOSFET的 $I_{DSS} = 9mA$…
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• 104年 cpc_recruit 第30題
  有關場效應電晶體(FET)之敘述，下列何者錯誤？
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• 102年 cpc_recruit 第61題
  有關場效電晶體(FET)的導電載子敘述，下列何者正確？
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• 100年 cpc_recruit 第31題
  有關 FET 功能特性，下列敘述何者錯誤？
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• 100年 cpc_recruit 第59題
  如【圖 59】所示，已知 FET 之 $I_{DSS} = 12mA$，$V_{GS(off)} = -6V$，$r_d$ 忽略不計，$V_{dd} = 24V$，$R_G = 1M\Omega$，$R_D = 2K\Omega$…
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• 100年 cpc_recruit 第61題
  如【圖 61】所示，上半部為 P 通道 EMOS，下半部為 N 通道 EMOS，所組成 CMOS 邏輯電路，請問其布林式為下列何式？
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