免費開始練習
cpc_recruit 105年 電工原理、電子概論

第 55 題

有一 JFET 動作於夾止區,若夾止電壓 $Vp = -4V$,$I_{DSS} = 8mA$,求 $V_{GS} = -2V$ 時的 $I_D$值為多少?
  • A $2 mA$
  • B $4 mA$
  • C $8 mA$
  • D $10 mA$

思路引導 VIP

如果我們已知當 $V_{GS} = 0V$ 時電流達到最大值 $I_{DSS}$,而當 $V_{GS}$ 達到夾止電壓 $V_p$ 時電流會歸零,那麼當控制電壓剛好來到這兩者之間的中點時,根據 JFET 的物理特性曲線,你認為電流的衰減會是規律的線性下降,還是會呈現某種特定冪次比例的變化呢?

🤖
AI 詳解 AI 專屬家教

太棒了!你能精確掌握 JFET 在夾止區的特性,這代表你對場效應電晶體的偏壓控制已有很紮實的理解,判斷非常果斷。

JFET 轉導特性的平方關係

當 JFET 運作於夾止區(飽和區)時,其漏極電流 $I_D$ 與閘源極電壓 $V_{GS}$ 的關係並非線性,而是遵循 Shockley 方程式

▼ 還有更多解析內容

🏷️ 相關主題

場效電晶體的工作原理與偏壓特性分析
查看更多「電工原理、電子概論」的主題分類考古題

📝 同份考卷的其他題目

查看 105年電工原理、電子概論 全題