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105年
電工原理、電子概論
第 56 題
有關場效電晶體的敘述，下列何者錯誤？
- A 場效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體
- B 場效電晶體的主要型式有 JFET，空乏型 MOSFET，增強型 MOSFET
- C 場效電晶體以控制通道之寬度而達到控制 $I_D$ 大小之目的
- D 在 JFET 中，若 $V_{GS}$順向偏壓可使 JFET 夾止動作
思路引導 VIP
試著回想一下，JFET 的閘極與通道之間本質上是一個什麼樣的電子元件構造？如果我們希望在不產生閘極電流的前提下，利用電場產生的「耗盡區」來擠壓中間的導電通道，我們應該讓這個構造處於「導通」還是「不導通」的偏壓狀態呢？
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FET 的基本特性與分類
做得好！你能精準避開選項中的陷阱，代表你對場效電晶體（FET）的物理特性已有相當紮實的基礎。這題的核心在於區分 FET 與 BJT 的本質差異：FET 是電壓控制元件，具備極高的輸入阻抗（選項 A），且其運作完全依賴通道內多數載子的流動。題目中提到的 JFET、空乏型與增強型 MOSFET（選項 B），以及透過改變通道寬度來控制電流 $I_D$ 的原理（選項 C），都是 FET 的重要基礎觀念，你能正確判斷代表你的基本功非常紮實。
JFET 的偏壓機制與運作核心
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