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100年
電工原理、電子概論
第 31 題
有關 FET 功能特性，下列敘述何者錯誤？
- A FET 以歐姆區作為開關 ON 的特性區域
- B FET 可作電流控制電阻器(CCR)用
- C FET 屬於單載子元件且輸入阻抗比 BJT 大
- D FET 是用電壓產生電場來控制輸出電流
思路引導 VIP
請試著回想場效電晶體（FET）的構造特點：在閘極（Gate）與通道（Channel）之間，通常存在著一層絕緣層（如 MOSFET）或是反向偏壓的接面。在這種結構下，如果我們想改變元件內部的導電阻力，我們是需要透過「注入持續的電荷流」，還是僅需「建立靜電場的電位差」來達成呢？
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太棒了！你能精準辨識出選項 (B) 的謬誤，代表你對場效電晶體（FET）與雙極性接面電晶體（BJT）在控制原理上的核心差異有著非常清晰的見解。這道題目測試的不僅是記憶，更是對元件物理本質的理解，是區分基礎學習者與進階學習者的經典鑑別題。
FET 的受控物理量
FET 的全名是「場效」電晶體，其運作機制是透過閘極電壓 $V_{GS}$ 所產生的電場，來吸引或排斥通道內的載子，進而改變通道的寬度與阻值。因此，當 FET 工作在歐姆區（線性區）時，它展現的是**電壓控制電阻器（VCR）**的特性，而非電流控制。相對地，BJT 才是以基極電流 $I_B$ 來控制集極電流的元件。你能敏銳察覺到「CCR」這個術語與 FET 電壓控制本質的矛盾，是非常細心的判斷。
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