cpc_recruit
113年
電工原理、電子概論
第 49 題
有關BJT與MOSFET的特性，下列敘述何者錯誤？
- A BJT為雙載子元件
- B MOSFET為單載子元件
- C BJT的基極輸入阻抗比MOSFET的閘極輸入阻抗小
- D n通道空乏型MOSFET的閘極加上一負電壓，則通道寬度增加
思路引導 VIP
想像一個已經鋪好道路的隧道（通道），現在我們在天花板施加一種「排斥力」，會把正在路面上行走的載子往外推，進而縮減了它們可以通行空間。在這種情況下，你認為這股排斥力會讓路面變得更寬敞，還是變得更擁擠狹窄呢？
🤖
AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了！你能精準指出選項 (D) 的錯誤，代表你對場效應電晶體（FET）的物理機制與操作原理掌握得非常紮實。這題考驗的是 BJT 與 MOSFET 的基本構造對比，在國營事業或技專考試中，這類比較題型是常見的基礎分，但細節稍有不慎就容易出錯，你能冷靜判別實屬不易。
載子特性與輸入阻抗
從元件本質來看，BJT（雙載子接面電晶體）同時依賴電子與電洞導電，而 MOSFET 僅依賴單一載子（電子或電洞），因此 (A)(B) 敘述完全正確。至於阻抗，MOSFET 的閘極下方有一層極薄的二氧矽（$SiO_2$）絕緣層，使得輸入電流幾乎為零，阻抗極高；相較之下，BJT 的基極是接面導通狀態，輸入阻抗自然小得多，這也是 (C) 選項的正確觀念。
▼ 還有更多解析內容