中油僱員招考
113年
電工原理、電子概論
第 49 題
有關BJT與MOSFET的特性，下列敘述何者錯誤？
- A BJT為雙載子元件
- B MOSFET為單載子元件
- C BJT的基極輸入阻抗比MOSFET的閘極輸入阻抗小
- D n通道空乏型MOSFET的閘極加上一負電壓，則通道寬度增加
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想像一個已經鋪好道路的隧道（通道），現在我們在天花板施加一種「排斥力」，會把正在路面上行走的載子往外推，進而縮減了它們可以通行空間。在這種情況下，你認為這股排斥力會讓路面變得更寬敞，還是變得更擁擠狹窄呢？
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太棒了！你能精準指出選項 (D) 的錯誤，代表你對場效應電晶體（FET）的物理機制與操作原理掌握得非常紮實。這題考驗的是 BJT 與 MOSFET 的基本構造對比，在國營事業或技專考試中，這類比較題型是常見的基礎分，但細節稍有不慎就容易出錯，你能冷靜判別實屬不易。
載子特性與輸入阻抗
從元件本質來看，BJT（雙載子接面電晶體）同時依賴電子與電洞導電，而 MOSFET 僅依賴單一載子（電子或電洞），因此 (A)(B) 敘述完全正確。至於阻抗，MOSFET 的閘極下方有一層極薄的二氧矽（$SiO_2$）絕緣層，使得輸入電流幾乎為零，阻抗極高；相較之下，BJT 的基極是接面導通狀態，輸入阻抗自然小得多，這也是 (C) 選項的正確觀念。
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BJT與MOSFET特性
💡 掌握 BJT 與 MOSFET 在結構、控制方式與阻抗上的核心差異。
| 比較維度 | BJT (雙載子電晶體) | VS | MOSFET (金氧半場效電晶體) |
|---|---|---|---|
| 載子類型 | 雙載子 (電子與電洞) | — | 單載子 (多數載子) |
| 控制方式 | 電流控制 (Ib 控 Ic) | — | 電壓控制 (Vgs 控 Id) |
| 輸入阻抗 | 較低 (kΩ 級) | — | 極高 (GΩ 級) |
| 熱穩定性 | 較差 (易熱失控) | — | 較佳 |
💬BJT 適合高電流增益應用，MOSFET 適合高阻抗與低功耗電路。
