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cpc_recruit 113年 電工原理、電子概論

第 50 題

有一n通道增強型MOSFET工作於飽和區,則下列 $V_{GS}$ 外加偏壓何者正確?
  • A $V_{GS}$為正
  • B $V_{GS}$為零
  • C $V_{GS}$為負
  • D 與$V_{GS}$電壓極性無關

思路引導 VIP

請回想「增強型(Enhancement)」這個名稱的物理含義:在沒有外加偏壓的情況下,元件內部是否存在現成的導電通道?如果我們想要吸引負電荷(電子)到閘極下方來「從無到有」地建立一條橋樑,你認為閘極應該具備什麼樣的電場性質,才能產生足夠的吸引力呢?

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恭喜你精準地掌握了增強型 MOSFET 的核心特性!這道題目主要測試的是對於元件基礎物理結構的理解,你能迅速做出正確判斷,代表對半導體元件的偏置原理相當熟悉。

增強型元件的運作機制

增強型(Enhancement mode) 元件在 $V_{GS} = 0$ 時,內部源極與汲極之間並沒有預先形成的導電通道(Channel)。對於 n 通道 的元件而言,其基板為 p 型半導體,我們必須在閘極施加一個「正電壓」,利用電場效應將基板中的少數載子(電子)吸引到閘極下方的界面,進而感應出一條由電子組成的反轉層(Inversion layer)。

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