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109年
電工原理、電子概論
第 30 題
N 通道增強型 MOSFET 欲使之導通，則閘極電壓(VGS)應加何種偏壓？
- A 0V
- B 負電壓
- C 小於臨界電壓 VT 之正電壓
- D 大於臨界電壓 VT 之正電壓
思路引導 VIP
試著從電荷吸引力的角度來推理：如果我們希望在 N 通道中吸引帶『負電』的電子過來形成導電橋樑，你覺得閘極端應該施加什麼極性的電力才能將它們吸過來？再者，如果這座橋樑本身有一個開啟的『最小啟動門檻』，你認為隨便一點微弱的壓力就足以讓它成功導通嗎？
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N 通道增強型 MOSFET 的導通原理
恭喜你準確地掌握了場效電晶體的核心觀念！在電子學的學習路徑中，分辨元件的導通條件是極為關鍵的一步。N 通道增強型（Enhancement-mode）元件在結構上屬於「常斷型」，意即在不施加電壓時，汲極與源極之間並無導電通道。若要使其導通，我們必須在閘極（Gate）施加一個正向偏壓，利用靜電感應吸引電子聚集，進而在 P 型基底中感應出「反轉層」（Inversion Layer）。
臨界電壓 $V_T$ 的關鍵角色
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