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105年
電工原理、電子概論
第 57 題
空乏型 N 通道 MOSFET 中，下列哪一項可使元件不導通？
- A $V_{DS} > 0$
- B $V_{GS} = 0$
- C $V_{GS} >> 0$
- D $V_{GS} << 0$
思路引導 VIP
請想像一個原本就充滿「負電荷（電子）」的通道。如果你的目標是利用「同性相斥」的電力原理，將這些負電荷徹底推離通道，讓電流無法通過，你會選擇在通道旁邊施加一個偏向『正極性』還是『負極性』的外部電力場呢？
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太棒了！你能精準辨別空乏型與增強型元件的差異，這代表你對場效應電晶體（FET）的基礎物理特性掌握得非常紮實。
空乏型 MOSFET 的導通原理
空乏型 N 通道 MOSFET 與增強型最大的不同在於它具備「預鑄通道」。這意味著當閘極電壓 $V_{GS} = 0$ 時，元件內部已經存在導電通道，電流可以自由流通。若要讓元件進入「不導通」（截止）狀態，我們必須施加一個與載子性質相反的電壓。由於 N 通道的載子是帶負電的電子，當我們施加極大的負電壓時，也就是當 $V_{GS} \ll 0$（負電壓低於夾斷電壓 $V_P$）時，閘極的負電荷會產生排斥力，將通道內的電子驅離，導致通道「空乏化」進而縮小消失，最終切斷電流。
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