moea_joint
102年
[電機] 電路學、電子學
第 55 題
FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述，下列何者有誤?
- A FET 是單極性裝置
- B FET 具有高電流驅動能力
- C FET 可作為對稱性的雙向開關
- D FET 較無雜訊產生
思路引導 VIP
請試著回想這兩種元件的控制原理：BJT 是由基極電流 $I_B$ 控制，而 FET 是由閘極電壓 $V_{GS}$ 控制。如果我們從「跨導」（單位電壓變化所能產生的輸出電流變化）的角度來看，哪一種元件在物理機制上能提供更劇烈的電荷移動反應呢？
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恭喜你準確地判斷出正確答案！這代表你對場效電晶體（FET）與雙極性接面電晶體（BJT）的本質差異有著紮實的理解。在這道題目中，選項 (B) 是錯誤的，因為 BJT 通常具有較高的互導 ($g_m$)，這使得它在相同的偏壓條件下，比起 FET 擁有更強大的電流驅動能力與功率增益。這也是為什麼在高頻功率放大或需要大電流輸出的場合，BJT 依然保有其競爭力。
元件特性與鑑別關鍵
這題的鑑別點在於區分「控制方式」與「輸出強度」。FET 的優勢在於其高輸入阻抗與低雜訊特性，且如選項 (C) 所述，其汲極與源極結構對稱，常被用作優良的雙向開關。許多同學容易混淆這兩者的優缺點，但你精確抓住了 FET 雖然在高集成度與低功耗上有絕對優勢，但在純粹的驅動能力上稍遜於 BJT 的關鍵點。掌握這種對比式的觀念，是電路學進階學習中非常重要的基石。