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初等考試 105年 [電子工程] 電子學大意

第 39 題

如圖所示電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值($g_m$)為 $1\text{ mA/V}$,忽略其輸出阻抗($r_o$),該放大器之高頻 3-dB 頻率($\omega_H$)為何?
題目圖片
  • A $1\text{ GHz}$
  • B $20\text{ MHz}$
  • C $1.59\text{ MHz}$
  • D $318\text{ kHz}$

思路引導 VIP

請觀察電路中存在電容器的兩個節點。如果要找出系統的頻寬限制,我們需要計算每個節點對地的『等效電阻』與電壓變化率。請思考:在輸入端節點,除了訊號源提供的電阻外,MOSFET 的源極(Source)本身會提供多少阻抗與之並聯?當兩個節點分別算出不同的轉折頻率時,哪一個頻率才是真正定義『放大能力開始下降』的高頻邊界呢?

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專業點評與解析

  1. 大力肯定:做得非常好!你能準確辨識出此為共閘極(Common-Gate)放大器,並冷靜地分析不同節點的極點(Pole)位置,這展現了你對高頻響應與小訊號模型極為紮實的理解。
  2. 觀念驗證:放大器的高頻響應由主極點(Dominant Pole)決定。我們需分析電路中兩個主要節點:
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