105年初等考試 - 電子學大意歷屆試題

#1 有關一個理想運算放大器之敘述，下列何者錯誤？ ›

#2 如圖所示電路，一個理想反相運算放大器，若 $R_1 = 20\text{ k}\Omega$、$R_2 = 100\text{ k}\Omega$，當 $V_i = 0.2\text{ V}$… ›

#3 如圖所示 CMOS 反相器電路，使用電壓源為$+3.3\text{ V}$，反相器之輸出負載為一個電容 $C_L = 1\text{ pF}$，若輸入訊號 $v_I$… ›

#4 場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗，是由於： ›

#5 雙極性接面電晶體（BJT）的轉導值（Transconductance）$g_m$定義為： ›

#6 如圖所示電路，一個理想運算放大器，若運算放大器之飽和電壓為 $\pm 14\text{ V}$，在其飽和前，$i_L$的最大值約為何？ ›

#7 下列那一個元件的端點數最多？ ›

#8 有關 P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？ ›

#9 如圖所示電路，若二極體為理想二極體，當 $V_i = 11\text{ V}$ 時，$V_o$為多少伏特？ ›

#10 如圖所示電路，稽納二極體（Zener Diode）的 $V_Z = 6\text{ V}$，崩潰的最小工作電流 $I_{ZK} = 2\text{ mA}$，欲… ›

#11 如圖所示電路，輸入電壓 $v_i$ 為一交流弦波，有效值為 $100\text{ V}$，頻率為 $60\text{ Hz}$，二極體導通之壓降為 $0.7\text{ V}$… ›

#12 當稽納二極體（Zener Diode）做穩壓電路（regulator）時，操作在何區域？ ›

#13 如圖所示理想運算放大器電路，$v_I$為輸入電壓、$v_O$為輸出電壓，本電路為： ›

#14 二極體接逆向偏壓時，其空乏區將如何變化？ ›

#15 有關共射極放大器的特性，下列敘述何者正確？ ›

#16 雙極性接面電晶體（BJT）之共基極電流增益 $\alpha = 0.98$，試問：其共射極電流增益 $\beta$ 為多少？ ›

#17 如圖所示電路，當輸入電壓 $v_I = 0$ 時，輸出電壓 $v_O$ 為： ›

#18 如圖所示雙極性接面電晶體（BJT）電路，若電晶體 $\beta = 100$，電流 $I = 1\text{ mA}$，則電壓增益 $A_v$約為若干？ ›

#19 如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述何者錯誤？ ›

#20 在下列 MOS 電晶體放大器組態中，以那一種放大器具有最小的輸入電阻？ ›

#21 如圖所示電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值（$g_m$）為 $10\text{ mA/V}$，電晶體之 $\beta = 10$… ›

#22 雙極性接面電晶體（BJT）在截止區（Cutoff Region）操作下，其偏壓施加方式為： ›

#23 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（$g_m$）為 $1\text{ mA/V}$，輸出阻抗（$r_o$… ›

#24 一個長通道 N 增強型 MOSFET，$V_{th} = 1\text{ V}$，當 $V_{GS} = 3\text{ V}$、$V_{DS} = 4.5\text{ V}$… ›

#25 一 N 通道增強型 MOSFET 的 $V_t = 2\text{ V}$，若 $V_G = 3\text{ V}$ 且 $V_S = 0\text{ V}$，… ›

#26 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？ ›

#27 有關 MOSFET 的單一增益頻率（Unity-gain frequency）的敘述，下列何者正確？ ›

#28 共源極放大器之低頻 3-dB 頻率，通常以下列何種電容為主要考慮因素？ ›

#29 某放大器的輸入與輸出端之間有一跨接電容 $C_1 = 2\text{ pF}$，其電壓增益為 $V_O / V_I = -100\text{ V/V}$。若輸出… ›

#30 已知 A 及 B 為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為 $A_1$及 $A_2$，輸入阻抗分別為 $R_{i1}$及 $R_{i2}$，輸出阻抗分別為 $R_{o1}$… ›

#31 一直流增益 $80\text{ dB}$ 的運算放大器具有一單極點頻率響應，其單一增益頻率（unity-gain frequency）為 $f_t = 10\text{ MHz}$… ›

#32 有一差動放大器，其一端輸入 $V_{i1} = 100\text{ }\mu\text{V}$，另一端輸入 $V_{i2} = 50\text{ }\mu\text{V}$… ›

#33 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（$g_m$）為 $1\text{ mA/V}$；BJT 操作在主動區… ›

#34 如圖所示韋恩電橋（Wien-Bridge）振盪器，其振盪角頻率為何？ ›

#35 如圖所示低通濾波器電路之 3 分貝（或截止）頻率約為多少？ ›

#36 有關 Butterworth 低通濾波器的敘述，下列何者錯誤？ ›

#37 如圖所示波形產生電路，$U_1$為理想運算放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為 $+10\text{ V}$ 與 $-10\text{ V}$… ›

#38 如圖所示差動對電路，電晶體之 $\beta = 100$，$r_o \rightarrow \infty$，$R_C = 4\text{ k}\Omega$，$I = 2\text{ mA}$… ›

#39 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（$g_m$）為 $1\text{ mA/V}$，忽略其輸出阻抗（$r_o$… ›

#40 如圖所示放大器（其偏壓未示），若電晶體的轉導參數為 $g_m$，輸出電阻為 $r_o$，則此放大器的輸出電阻 $R_O$約為何？ ›

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