111年初等考試 — 電子學大意

共 40 題 · 含 AI 詳解

#1 某增強型 NMOS 場效電晶體的 $V_t = 1 \text{ V}$、$\mu_n C_{ox}(W/L) = 50 \text{ \mu A/V}^2$，… › #2 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 $V_{I1}$、$V_{I2}$ 的電壓波形如下所示，$V_{CC} = 5 \text{ V}$，$R_1 = R_2 = 1 \text{ k}\Omega$… › #3 對於一個 PN 接面二極體在逆偏（reverse bias）的條件下，下列何者正確？ › #4 如圖所示之電路，OP AMP 為理想。求 $v_{id}/i$： › #5 如圖所示為一 NMOS 構成的放大器。$V_{DD} = 3 \text{ V}$，電晶體之小信號 $\mu_nC_{ox} = 200 \text{ \mu A/V}^2$… › #6 雙極性電晶體接成共集極組態時，其輸出阻抗相較於共射極和共基極組態的輸出阻抗為何？ › #7 下列何種矽電晶體具有常閉型通道？ › #8 有一半波整流器的輸入電壓峰值為 $10 \text{ V}$，則其輸出電壓的峰值大約為： › #9 有一增益為 A = 10000，單極頻率（single pole frequency）為 $10^5 \text{ rad/s}$ 之放大器，將其置入回饋因素（… › #10 如圖所示電路為一階主動低通濾波器，若 $R_i = 20 \text{ k}\Omega$，$R_f = 200 \text{ k}\Omega$，$R_1 = 1.5 \text{ k}\Omega$… › #11 有一 N 通道接面場效電晶體（JFET）的夾止電壓 $V_P = - 4 \text{ V}$，且源極電壓 $V_S = 0 \text{ V}$， 則下列那一… › #12 關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者正確？ › #13 橋式全波整流電路的輸入信號：$v_i(t) = 18\sin(377t)$ 伏特。其輸出信號之頻率為何？ › #14 下圖電路中二極體 D1 之導通電壓為 $0.7 \text{ V}$，導通電阻為 $0 \text{ }\Omega$。電阻值 $R = 10 \text{ }\Omega$… › #15 下圖中二極體 D1 與 D2 之導通電壓為 $0.7 \text{ V}$，導通電阻為 $0 \text{ }\Omega$，輸入信號為弦波，$v_i(t) = 4 \sin 10t$… › #16 如圖所示之電路，假設二極體之壓降為 $0.7 \text{ V}$，則二極體 $D_2$之逆向峰值電壓（PIV）為何？ › #17 若 P-N 接面二極體之導通電壓為 $0.7 \text{ V}$，且導通電阻值為 $0 \text{ }\Omega$，若$V_i = +5 \text{ V}$… › #18 如圖所示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中 $m$ 表斜率） › #19 如圖所示之電路，假設二極體為理想，試求輸出電壓之最大正值為何？ › #20 如圖電路，設二極體均為理想二極體，$R = 10 \text{ k}\Omega$，$R_1 = R_2 = 5 \text{ k}\Omega$，$V_1 = V_2 = 5 \text{ V}$… › #21 圖示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中 $m$ 表斜率） › #22 電路上某 npn 雙極性接面電晶體（BJT）工作在飽和區（Saturation Region），已知電路之電源電壓為 $8 \text{ V}$，下列何者正確？ › #23 某 $\beta = 100$ 之 npn 雙極性接面電晶體，若 $I_B = 10 \text{ \mu A}$，下列何者顯示電晶體工作在飽和區（Satura… › #24 假設電晶體操作於飽和區，如圖所示共閘極放大器之增益（$v_o/v_i$）為何？電晶體之 $\mu_n C_{ox} = 500 \text{ \mu A/V}^2$… › #25 於積體電路設計中使用主動負載的放大器，相對於使用被動負載，其好處不包含下列何者？ › #26 下列何種放大器組態有較顯著的米勒效應？ › #27 雙極性電晶體（BJT）若工作在截止區時： › #28 矽雙極性電晶體（BJT）工作在飽和區模式時，其基射極之間的電位差約為： › #29 關於雙載子電晶體 （BJT）的小信號模型，下列敘述何者錯誤？ › #30 圖示為一種採用集極回授偏壓電路的電晶體共射極放大器，輸出電壓（$v_o$）正半週的最大擺幅恰為 $5 \text{ V}$ 時，電阻 $R$ 約為多少？電晶體基… › #31 如圖採用分壓偏壓電路的電晶體放大電路中，在集極端直接耦接有一 $3.5 \text{ k}\Omega$ 的負載，電晶體基-射極的導通定電壓為 $0.8 \text{ V}$… › #32 圖示 PMOS 場效電晶體電路，電晶體之 $V_t = -0.5 \text{ V}$，若 $R_{G1} = 3 \text{ M}\Omega$、$R_{G2} = 2 \text{ M}\Omega$… › #33 如圖所示的方波產生電路在正常工作下並於某個時間點測知 $V_f$ 的電壓值為 8 伏特，此電路中流過電阻器 $R$ 的電流絕對值取其最大與最小值分別以 $I_1$… › #34 有關運算放大器的應用，下列電路何者使用負回授電路？ › #35 某電路之轉移函數： $T(s) = 10\frac{s}{s+10}$，當角頻率為 $10 \text{ rad/sec}$ 時，相角為何？ › #36 圖示 MOS 電路，$v_i$為輸入電壓，$v_o$為輸出電壓，本電路主要作用為何？ › #37 圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為 $\pm 12 \text{ V}$，$R_1 = 10 \text{ k}\Omega$、$R_2 = 40 \text{ k}\Omega$… › #38 有關圖示電路中各節點電壓的波形敘述，下列何者正確？ › #39 如圖電路，已知輸出 $v_o$的飽和電壓在$\pm 10 \text{ V}$，其 $R_1 = 100 \text{ k}\Omega$，$R_2 = 1 \text{ M}\Omega$… › #40 如圖二階低通濾波電路，欲實現具有最大平坦度且 $3 \text{ dB}$ 頻率為 $7.07 \times 10^5 \text{ rad/s}$，當電阻 $R$… ›