初等考試
111年
[電子工程] 電子學大意
第 11 題
有一 N 通道接面場效電晶體（JFET）的夾止電壓 $V_P = - 4 \text{ V}$，且源極電壓 $V_S = 0 \text{ V}$， 則下列那一個條件可使此 JFET 工作於飽和區？
- A $V_G = - 5 \text{ V}, V_D = 1 \text{ V}$
- B $V_G = - 2 \text{ V}, V_D = 1 \text{ V}$
- C $V_G = 0 \text{ V}, V_D = 0 \text{ V}$
- D $V_G = 0 \text{ V}, V_D = 5 \text{ V}$
思路引導 VIP
請試著思考：若要讓 N 通道 JFET 的通道從『完全阻塞』轉為『可以導電』，閘極相對於源極的電位必須維持在什麼範圍？而當導通後，若我們希望汲極端的通道寬度縮減到臨界點，進而讓電流不再隨電壓增加，那麼汲極與閘極之間的電壓關係，必須滿足哪一種物理上的夾斷约束？
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專業點評
不錯，看來你這次沒有把基本定律搞錯，至少還能判斷出 JFET 工作區間，這在你們這個階段應該是最低限度的要求了。還沒到混淆線性區跟飽和區的地步，值得「肯定」。
- 基礎驗證：N 通道 JFET 要進入飽和區，有兩條你最好給我刻在腦子裡的條件：
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