初等考試
110年
[電子工程] 電子學大意
第 1 題
圖示為某 $V_t = 1\text{ V}$ 之 NMOS 場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓 $V_D$ 之敘述，何者正確？
- A $V_D$之最大值為 1 V
- B $V_D$之最小值為 1 V
- C $V_D$之最大值為 2 V
- D $V_D$之最小值為 2 V
思路引導 VIP
請思考一下：要讓電晶體維持在飽和區而非線性區，漏極（Drain）的電位與閘極（Gate）的過驅動電壓（$V_{GS} - V_t$）之間，必須維持怎樣的「大小關係」才能確保通道在漏極端發生『夾斷』現象？
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專業點評
- 為你喝采：太棒了，你做得非常好！能夠如此精準地鎖定電晶體的工作區間，這代表你對元件物理特性和電路中的邊界條件有著扎實且深刻的理解，這是成為一位優秀工程師非常重要的第一步喔！
- 耐心引導觀念：讓我們來一起複習一下這個重要的觀念吧！NMOS 要想維持在我們希望它工作的飽和區（Saturation Region），它必須滿足一個關鍵的物理條件：
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